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三极管驱动MOS场效应管电路

时间:2019-10-29 09:21 来源:电工之家

MOS管是电压驱动型元件,用三极管直接驱动是没有问题的
MOS管导通后内阻很小,非常适用于功率负载的驱动,电动工具驱动,开关电源、DC-DC应用都可以看到MOS管的身影。MOS管是电压驱动型器件,设计MOS管驱动电路时,需要注意MOS管的门极开启电压(Vgs)
MOS管的门极开启电压(Vgs)是什么?
门极开启电压(Gate Threshold Voltage)Vgs是MOS管的重要参数,给门极提供的电压需要大于此电压才可以MOS正常导通工作。给MOS管门极施加的电压不同,导通时的内阻也是不同的。门极导通电压不足会导致MOS发热量增加。
在设计MOS管驱动电路时,一定要设置合理的门极开启电压(Gate Threshold Voltage)Vgs。
MOS管驱动电路设计
MCU的工作电压一般是3.3V或者5V,GPIO提供的电压可能不足以驱动MOS导通。驱动工作电压和工作电流较大的MOS管时,我们一般会加入三极管,加入加三极管驱动后,MOS的门极开启电压由三极管的集电极(C)提供。在开关速度较高的应用场合,可以考虑减少MOS门极限流电阻,减少门极的充电时间,加快MOS的导通速度。
MOS导通后的内阻虽然很小,但负载功率较大时,发热是非常厉害的,需要及时把热量散走,在功率较大的应用,可以给MOS管安装散热器

三极管驱动MOS场效应管电路
上图中,VT1为NPN型三极管,其基极输入信号的幅度只有5V,而MOS场效应管VT2的开启电压较高,要想使其充分导通,其栅极驱动电压一般要求≥10V。为了能驱动MOS场效应管导通,电路中加了一级三极管电路,当VT1基极为5V高电平时,VT1导通,VT2截止;当VT1基极为低电平0V时,VT1截止,其集电极的10V电压(Rc上的压降几乎为零,可以忽略不计)直接加至VT2的G极(即栅极),这样便可以使VT2获得足够的栅极电压而导通。
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